+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:88

Начало производства чипов по новой Buried Wordline DRAM технологии
Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI4401BDY-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI4401BDY-T1-E3 VISHAY 3-4 недели Европа звоните


 
Технические характеристики для SI4401BDY-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Тип8-SOICN
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Максимальная мощность1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
СерияTrenchFET®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs14 mOhm @ 10.5A, 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs55nC @ 5V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI4401BDY-T1-E3



Фирма VISHAY также представлена другими продуктами:
TLMG1100-GS08
TFBS4711-TR1
CRCW12064K02FKEA
DG419DJ-E3
SMBJ13A-E3/52
MBB02070C3091FCT00
MAL203658229E3