+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:88

Начало производства чипов по новой Buried Wordline DRAM технологии
Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI7421DN-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI7421DN-T1-E3 VISHAY 3 недели


 
Технические характеристики для SI7421DN-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Максимальная мощность1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
СерияTrenchFET®
Gate Charge (Qg) @ Vgs40nC @ 10V
Упаковка / КоробкаPowerPAK® 1212-8
ТипPowerPAK® 1212-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C6.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 9.8A, 10V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI7421DN-T1-E3



Фирма VISHAY также представлена другими продуктами:
17403275511E3
VLMK31R1S2-GS08
BFR181T-GS08
BYV32-200-E3/45
2322 329 05688
1.5KE30A-E3/54
2322 242 81805