+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:88

Начало производства чипов по новой Buried Wordline DRAM технологии
Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI1025X-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI1025X-T1-E3 VISHAY 3 недели


 
Технические характеристики для SI1025X-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Упаковка / КоробкаSOT-563, SOT-666
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)60V
Максимальная мощность250mW
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
FET Type2 P-Channel (Dual)
СерияTrenchFET®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C190mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs4 Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.7nC @ 15V
Входная емкость (Ciss) @ Vds23pF @ 25V
ТипSC-89-6

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI1025X-T1-E3



Ассортимент продукции VISHAY также преставлен след. товарами:
LTO030FR0500FTE3
SUB75N06-08-E3
D470G25C0GH65J5R
RGP10M-E3/53
BPW24R
BY448TAP
CRCW04022K61FKED