+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:46

Sharp. Новые дисплеи LQ043T3DX02 и LQ043T3DX04
подробнее ...

Выпрямительный диод, рассчитанный на ток до 1 А от Diodes

   Площадь SBR1U40LP составляет 1,54 мм2, что вдвое меньше, чем у любого другого выпрямительного диода такой мощности. Чтобы уменьшить размеры прибора, инженеры Diodes выбрали более компактный тип внешнего исполнения, а не корпус типа SOD-323,...

подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI7456DP-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI7456DP-T1-E3 VISHAY 3-4 недели Европа звоните


 
Технические характеристики для SI7456DP-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
СерияTrenchFET®
Максимальная мощность1.9W
Упаковка / КоробкаPowerPAK® SO-8
ТипPowerPAK® SO-8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C5.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25 mOhm @ 9.3A, 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs44nC @ 10V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI7456DP-T1-E3



Кроме данного товара компании VISHAY существуют также:
CRCW120639R0JNEA
1N5818-E3/54
MBB02070C4752FCT00
2306 198 53101
IHLP2525CZER1R5M01
2312 195 11308
MMA02040D4223BB300