+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:90

Дифференциальные усилители линейки THS
Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI4410BDY-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI4410BDY-T1-E3 VISHAY 3-4 недели Европа звоните


 
Технические характеристики для SI4410BDY-T1-E3

Тип монтажаПоверхностный монтаж
Упаковка / Коробка8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
ФасовкаTape & Reel (TR)
Тип8-SOICN
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Максимальная мощность1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs20nC @ 5V
СерияTrenchFET®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs13.5 mOhm @ 10A, 10V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI4410BDY-T1-E3



VISHAY компания, к которой относятся и другие продукты, которые могут Вас заинтересовать::
SBYV27-100/4
GBPC602-E4/51
SI4484EY-E3
TZMC75-GS08
BZX85C18-TAP
CRCW120647K0FKEA
SFH6746T