|
| Фасовка | Cut Tape (CT) | | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | | Упаковка / Коробка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | | FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide | | FET Feature | Logic Level Gate | | Gate Charge (Qg) @ Vgs | 15nC @ 4.5V | | Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 3A | | Серия | TrenchFET® | | Тип | SOT-23-3 (TO-236) | | Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V | | Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA | | Максимальная мощность | 750mW | | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 3.85A, 4.5V | | Входная емкость (Ciss) @ Vds | 715pF @ 6V |
Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров
Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.
Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI2315BDS-T1-E3 |
