+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:40

Средства разработки для ARM9™ от Keil
подробнее ...

Выпрямительный диод, рассчитанный на ток до 1 А от Diodes

   Площадь SBR1U40LP составляет 1,54 мм2, что вдвое меньше, чем у любого другого выпрямительного диода такой мощности. Чтобы уменьшить размеры прибора, инженеры Diodes выбрали более компактный тип внешнего исполнения, а не корпус типа SOD-323,...

подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
2N6341G
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
2N6341G ON SEMICONDUCTOR 3-4 недели Европа звоните


 
Технические характеристики для 2N6341G

ФасовкаTray
Transistor TypeNPN
Тип монтажаChassis Mount
Current - Collector (Ic) (Max)25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.8V @ 2.5A, 25A
Current - Collector Cutoff (Max)50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce30 @ 10A, 2V
Максимальная мощность200W
Frequency - Transition40MHz
Упаковка / КоробкаTO-204AA, TO-3
ТипTO-3

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. 2N6341G



ON SEMICONDUCTOR компания, к которой относятся и другие продукты, которые могут Вас заинтересовать::
1.5SMC6.8AT3G
1N5956BRLG
MC34167TVG
L4949DR2G
MC100E196FNG
BSP16T1
MC74HC32ADG