|
| Тип монтажа | Through Hole | | Фасовка | Tube | | FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | | Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V | | FET Feature | Standard | | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | | Максимальная мощность | 130W | | Упаковка / Коробка | TO-262-3 Long Leads, I?Pak, TO-262AA | | Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 33A | | Серия | HEXFET® | | Тип | TO-262 | | Gate Charge (Qg) @ Vgs | 71nC @ 10V | | Входная емкость (Ciss) @ Vds | 1960pF @ 25V | | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 44 mOhm @ 16A, 10V |
Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров
Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.
Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. IRF540NLPBF |
