+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:53

Чипсет WiMAX для широкополосных беспроводных приложений
подробнее ...

Выпрямительный диод, рассчитанный на ток до 1 А от Diodes

   Площадь SBR1U40LP составляет 1,54 мм2, что вдвое меньше, чем у любого другого выпрямительного диода такой мощности. Чтобы уменьшить размеры прибора, инженеры Diodes выбрали более компактный тип внешнего исполнения, а не корпус типа SOD-323,...

подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SIE802DF-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SIE802DF-T1-E3 VISHAY 3 недели


 
Технические характеристики для SIE802DF-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Максимальная мощность125W
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
СерияTrenchFET®
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C60A
Gate Charge (Qg) @ Vgs160nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.9 mOhm @ 23.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.7V @ 250µA
Входная емкость (Ciss) @ Vds7000pF @ 15V
Упаковка / Коробка10-PolarPAK® (L)
Тип10-PolarPAK® (L)

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SIE802DF-T1-E3



К компании VISHAY относятся и другие компоненты, например:
TZMB24-GS08
VJ1206A222JXAT
WR5 71.5K 2% TK200 E3
MMA02040C2708FB300
SUP75N06-08-E3
SI4559EY-E3
TDSY1160