+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:90

Дифференциальные усилители линейки THS
Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI7476DP-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI7476DP-T1-E3 VISHAY 3 недели


 
Технические характеристики для SI7476DP-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
FET FeatureLogic Level Gate
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA
Drain to Source Voltage (Vdss)40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C15A
СерияTrenchFET®
Максимальная мощность1.9W
Упаковка / КоробкаPowerPAK® SO-8
ТипPowerPAK® SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs5.3 mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) @ Vgs177nC @ 10V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI7476DP-T1-E3



К бренду  VISHAY принадлежат и другие микросхемы, например:
PR02000203603JA100
TLMC3100-GS08
TLMC3100-GS08
SM8S36AHE3_A/I
BZX85C75-TAP
TLLY4400
1N4006-E3/73