Фасовка | Cut Tape (CT) | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | FET Feature | Logic Level Gate | FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15A | Серия | TrenchFET® | Максимальная мощность | 1.9W | Упаковка / Коробка | PowerPAK® SO-8 | Тип | PowerPAK® SO-8 | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.3 mOhm @ 25A, 10V | Gate Charge (Qg) @ Vgs | 177nC @ 10V |
Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров
Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.
Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI7476DP-T1-E3 |