+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:86

Изменения графика работы 17.10.08!

Внимание!!

подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI1013R-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI1013R-T1-E3 VISHAY 3 недели


 
Технические характеристики для SI1013R-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA
Максимальная мощность150mW
СерияTrenchFET®
Gate Charge (Qg) @ Vgs1.5nC @ 4.5V
Упаковка / КоробкаSC-75A
ТипSC-75A
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.2 Ohm @ 350mA, 4.5V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI1013R-T1-E3



Смотрите также другие продукты компании VISHAY:
BZT03C24-TAP
SFH6318T
2312 915 16344
B250C800G-E4/51
TLDR5800
TZMC7V5-GS18
MMA02040C1130FB300