+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:41

Simtek. STK14CA8 первая 1M nvSRAM объединяющая возможности SRAM с энергонезависимостью FLASH
подробнее ...

NAVMAN представляет Jupiter 32. 20-ти канальный высокоточный приёмный модуль GPS

Поддерживаются активный и пассивный виды антенн, сохранение конфигурации во flash-памяти, режим энергосбережения, поддержка SiRFInstantFiz. Модуль оптимально подходит для использования в устройствах с автономным питание, а также для высо...

подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
STB21NM60N
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
STB21NM60N ST-MICROELECTRONICS 3 недели


 
Технические характеристики для STB21NM60N

FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Максимальная мощность140W
Drain to Source Voltage (Vdss)600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C17A
Rds On (Max) @ Id, Vgs220 mOhm @ 8.5A, 10V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. STB21NM60N



Кроме данного товара компании ST-MICROELECTRONICS существуют также:
L6234PD
M41T56MH6E
P6KE18A
E-STV8172A
M74HC365M1R
M74HC03RM13TR
E-L6219DS