|
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) | | Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | | Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | | Тип монтажа | * | | Упаковка / Коробка | * | | Тип | * | | Фасовка | * | | Максимальная мощность | 250mW | | Resistor - Base (R1) (Ohms) | 22K | | Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | 22K | | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров
Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.
Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. MUN5312DW1T1G |
