|
| FET Feature | Logic Level Gate | | FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide | | Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | | Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 18A | | Максимальная мощность | 110W | | Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V | | Серия | UltraFET™ | | Входная емкость (Ciss) @ Vds | 1080pF @ 25V | | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 18A, 10V | | Gate Charge (Qg) @ Vgs | 70nC @ 20V |
Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров
Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.
Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!
Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. HUF75829D3 |
