+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:80

Новый мощный 35-ваттный толстопленочный резистор D2TO35 от Vishay Intertechnology
Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
IRF6662TR1
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
IRF6662TR1 Не указан 2-3 недели звоните


 
Технические характеристики для IRF6662TR1

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
Drain to Source Voltage (Vdss)100V
FET FeatureStandard
Максимальная мощность2.8W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C8.3A
Gate Charge (Qg) @ Vgs31nC @ 10V
СерияHEXFET®
Входная емкость (Ciss) @ Vds1360pF @ 25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.9V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs22 mOhm @ 8.2A, 10V
Упаковка / КоробкаDirectFET™ Isometric MZ
ТипDIRECTFET™ MZ

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. IRF6662TR1



Кроме данного товара компании Не указан существуют также:
IRF530
LGT770-K1L1-1
BZX79-C18,133
HD64F3664H
SN74LV541ADW
P80CE598FHB/00,557
74HCT125D,652