+7 (495) 175-43-86 многоканальный

 
Полный каталог

 
On-line магазин

 
Добавить в избранное

 
Написать письмо

Полезная информация:80

Новый мощный 35-ваттный толстопленочный резистор D2TO35 от Vishay Intertechnology
Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

Первые Flash-микроконтроллеры семейства Cortex-M4 от Atmel

Смотрите подробную информацию...
подробнее ...

 


 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

Top.Mail.Ru
 

Каталог продукции

 
SI3441BDV-T1-E3
Наименование / Примечание / Производитель Склад Цена
SI3441BDV-T1-E3 VISHAY 3-4 недели Европа звоните


 
Технические характеристики для SI3441BDV-T1-E3

ФасовкаCut Tape (CT)
Тип монтажаПоверхностный монтаж
FET TypeMOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET FeatureLogic Level Gate
Тип6-TSOP
Drain to Source Voltage (Vdss)20V
СерияTrenchFET®
Vgs(th) (Max) @ Id850mV @ 250µA
Упаковка / Коробка6-TSOP (0.065", 1.65mm Width)
Максимальная мощность860mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C2.45A
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V

Точные технические характеристики и возможность замены вы можете уточнить у наших менеджеров

Компания Интерия продажа со склада с доставкой по выгодным для вас ценам микросхем разъемов и элементов.

Цены в поиске даны мелкооптовые. Минимальная сумма заказа одной позиции 1500 рублей!

Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар забронирован на 5 рабочих дней и зафиксирована цена на день покупки. SI3441BDV-T1-E3



Кроме данного товара компании VISHAY существуют также:
CRCW120691K0JNEA
BZG04-130TR
GSIB2560/45
2312 255 11749
MCU0805 2.26K 0.5% TK25 BCC
T93YA103KT20
GL41G-E3/96